TechDaily.id – Samsung memperkenalkan roadmap di Samsung Foundry Forum 2022. Perusahaan akan memasuki tahap proses 1bnm pada 2023. Perusahaan juga mengumumkan roadmap memori flash Samsung.
Kapasitas chip memori akan mencapai 24Gb (3GB) – 32Gb (4GB). Selain itu, kecepatan asli akan menjadi 6,4-7.2 Gbps. Dalam segi memori video, generasi baru memori video GDDR7 akan keluar tahun depan.
Dengan demikian, facelift jangka menengah dari kartu grafis AMD dan NVIDIA generasi baru dapat menggunakan memori video GDDR7. Selain itu, Samsung juga telah membuat beberapa visi jangka panjang.
Perusahaan asal Korea Selatan (Korsel) berencana meluncurkan memori DDR6 pada 2026 dan mencapai kecepatan asli 10Gbps pada tahun 2027.
Samsung juga telah meluncurkan roadmap memori flash Samsung, dengan chip V9 NAND diharapkan pada 2024. Samsung menunjukkan pada acara Tech Day 2022 sebelumnya V-NAND generasi kesembilan sedang dalam pengembangan.
Menurut jadwal perusahaan, chip ini akan memasuki produksi massal pada 2024. Pada 2030, perusahaan membayangkan menumpuk lebih dari 1.000 lapisan NAND untuk mendukung teknologi intensif data di masa depan dengan lebih baik.
Perangkat juga dikatakan mempunyai kapasitas 1Tb TLC V-NAND tertinggi di dunia akan tersedia bagi pelanggan pada akhir tahun ini, sebagaimana dikutip dari Giz China.
Pada acara Samsung Tech Day 2022, Presiden Samsung Electronics dan kepala bisnis memori, Jung-bae Lee mengatakan bahwa perusahaan telah menghasilkan total 1 triliun GB memori dalam lebih dari 40 tahun. Bagian yang menarik adalah sekitar setengah dari 1 triliun GB diproduksi dalam tiga tahun terakhir.
